Politechnika Świętokrzyska w Kielcach
Wydział Elektrotechniki, Automatyki i Informatyki
Laboratorium elektroniki
Nr ćwiczenia:
5
Temat:
Wzmacniacze na tranzystorach polowych
Gr. 16A,
Zespół 2
1. Piotrowski Marcin
2. Purski Radosław
Ocena:
Data wykonania:
11.01.2012 r.
Data oddania:
24.01.2013 r.
1. Cel ćwiczenia
Celem ćwiczenia było poznanie zasady działania i własności wzmacniacza małej częstotliwości na tranzystorze MOS ze wzbogacanym kanałem typu p poprzez wyznaczenie jego charakterystyk częstotliwościowych: amplitudowej i fazowej oraz charakterystycznych parametrów: dolnej i górnej częstotliwości granicznej, szerokości pasma.
2. Schematy pomiarowe
Rys.1. Układ do pomiaru wzmacniacza małej częstotliwości z tranzystorem polowym MOS kanałem wzbogaconym typu p w układzie WS.
3. Tabele pomiarowe
Tab1. Pomiar charakterystyki fazowej wzmacniacza na tranzystorze polowym
Lp.
R0=10k Cs =25
f[Hz]
a[V]
b[V]
1.
20
0,11
0,16
0,76
223,54
2.
50
0,6
0,63
1,26
252,19
3
100
1,02
1,2
1,02
238,44
4
200
0,98
1,54
0,69
219,53
5
500
0,48
1,8
0,27
195,47
6
1k
0,24
1,8
0,13
187,45
7
2k
0,12
1,82
0,66
217,82
8
5k
0
1,88
0
180,00
9
10k
0
1,88
0
180,00
10
20k
0,12
1,88
0,64
216,67
11
50k
0,22
1,78
0,12
186,88
12
...