m
V
2
]
K
=
k
n
⋅
(
L
)
[
m
V
2
]
Parametry mało sygnałowe
g
m
=
K
(
U
gs
−
U
p
)
- transkonduktancja
Dioda:
K
=1
U
d
U
t
- prąd diody
I
d
=
I
S
⋅
e
(
I
I
S
)
- napięcie diody
U
d
=
U
T
⋅ln
U
T
I
d
Wzmacniacz operacyjny:
1. prądy wejściowe równe 0
2. napięcie pomiędzy wejściami jest równe (wirtualne
zwarcie)
Idealny wzmacniacz operacyjny
Z
we
=∞
Z
wy
=0
A
=∞
A niezależne od częstotliwości
inne wzory dla wzmacniacza operacyjnego
- oporność dynamiczna
r
d
=
Szeregi wartości:
E3: 50%: - 10, 22, 47
E6: 20%: - 10, 15, 22, 33, 47, 68
E12: 10% - 10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 68, 82
E24: 5% - 10, 11, 12, 13, 15, 16, 18, 20, 22, 24, 27, 30,
33, 36, 39, 43, 47, 51, 56, 62, 68, 75, 82, 91
Tranzystor bipolarny:
I
c
=
I
b
⋅β
- prąd kolektora
I
e
=(β+1)⋅
I
b
- prąd emitera
I
e
=
I
c
+
I
b
- prąd emitera
U
1
−
U
2
2
- napięcie sumacyjne
U
d
=
U
1
−
U
2
- napięcie różnicowe
U
wy
=
U
c
⋅
A
c
+
U
d
⋅
A
d
A
c
=0,
A
d
=∞
- dla idealnego
U
c
=
U
A
I
c
=
U
A
I
DSS
- oporność wewnętrzna
r
0
=
(
A
A
c
)
- współczynnik tłumienia sygnału
CMRR
=20
lg
λ=
1
U
A
α=
β
β+1
I
c
=α⋅
I
e
wspólnego
Parametry mało sygnałowe
g
m
=
I
c
U
T
I
b1
+
I
b2
2
- prąd polaryzacji wejść
I
b
=
- transkonduktancja
I
n
=
∣
I
b1
−
I
b2
∣ - prąd niezrównoważenia
U
T
Ib
r
e
=
U
T
r
π
=
I
e
Tranzystor Darlingtona
β=β
1
⋅β
2
R
wet
=
(
β
+1)(
r
e
+
R
e
)
Częstotliwość graniczna pasma pracy tranzystora:
f
gr
=
1
Wzory ogólne inne:
S
=
Δ
U
we
Δ
U
wy
- współczynnik stabilizacji
i
c
=
C
d U
c
dt
- prąd kondensatora
C
wej
=
C
bc
(
1+
K
u
)
+
C
be
- pojemność wej. wzmacniacza
związana z efektem Millera
C
MILOUT
=
C
CB
, gdzie
R
wej
=
R
b
∥
r
π
+
R
gen
2Π
R
wej
C
1
f
gr
=
1
A
−1
A
, gdzie
R
wyj
=
R
c
+
R
L
- pojemność związana z efektem
2Π
R
wyj
C
2
Millera
f
T
=
A
cl
⋅
f
cl
- stały iloczyn wzmocnienia i szerokości
pasma dla WO z zamkniętą pętlą ujemnego sprzężenia
C
1
i
C
2
to odpowiednio pojemności kondensatorów
sprzęgających na bazie i kolektorze
Tranzystor polowy JFET:
I
d
=
I
s
I
d
=
I
DSS
(
1−
U
gs
U
we
+
>
U
we
−
- komparator daje +V
U
we
+
>
U
we
−
- komparator daje -V
U
p
)
2
- nasycenie
Sprzężenie zwrotne do „+” - przerzutnik Schmitta
A
u
[
dB
]=20⋅log
10
(
U
wy
U
p
2
[
(
U
gs
−
U
p
)
⋅
U
ds
−
2
U
ds
2
]
- triodowy
∣
U
ds
∣
+
∣
U
gs
∣
>
∣
U
p
∣
- nasycenie (obsz. liniowy)
∣
U
ds
∣
+
∣
U
gs
∣
<
∣
U
p
∣ - obszar triodowy
∣
U
gs
∣
<
∣
U
p
∣ - obszar odcięcia
∣
U
gs
∣
<0
- typ N
∣
U
gs
∣
>0
- typ P
Parametry mało sygnałowe
g
m
=
2
I
DSS
I
d
=
2
I
DSS
A
u
20
U
we
)
U
wy
U
we
=10
szerokość histerezy: odwracający fazę:
(
V
+
❑
−
V
−
❑
)∗(
R1
R1
+
R2
)
nieodwracający fazy:
(
V
+
❑
−
V
−
❑
)∗(
R1
R2
)
∣
U
p
∣
(
1−
U
gs
U
p
)
- transkonduktancja
Tranzystor polowy MOSFET:
I
d
=
1
2
K
(
U
gs
−
U
p
)
2
- obszar nasycenia
I
d
=
K
[
(
U
gs
−
U
p
)
U
ds
–
2
U
ds
2
]
- ob. triodowy
I
DSS
=
K
⋅
U
p
2
- tylko dla zubożanych